|
Газовый пузырек возникает тогда, когда во
включении возрастает содержание свободного флюида. Это может происходить по
различным причинам:
При понижении температуры системы снижается
растворимость флюида в расплаве.
При понижении температуры системы в РВ за счет
термического сжатия уменьшается давление и
растворимость флюида опять-таки снижается.
При понижении температуры и давления системы
минерал и РВ начинают сжиматься, при этом РВ
сжимается быстрее, следовательно образуется
полость. Полость может заполняться флюидом, но
она может быть представлена и "вакуумом".
При росте минерала на стенки включения
увеличивается парциальное содержание флюида в
остаточном расплаве (этот случай справедлив,
если флюид не входит в структуру минерала-хозяина).
 |
| Рис.12 Зависимость
водонасыщенности расплава
от температуры. Р=1кб |
Одно из главных условий применимости метода
гомогенизации включений - насыщенность расплава
флюидом в момент захвата РВ.
Если в кристалле присутствуют более
ранние или сингенетичные расплавным включениям флюидные включения, то можно
говорить о том, что во время захвата РВ расплав
уже был насыщен флюидом, так как происходила дегазация.
 |
| Рис.13 Зависимость
водонасыщенности расплава
от давления. Т=1223оС |
Поскольку вода является магмофильным
соединением (некогерентным кристаллизующимся
фазам), она накапливается в расплаве при любой
кристаллизации (за исключением некоторых
случаев - когда в очаг поступает новая порция
ненасыщенной флюидом магмы или
когда происходит повышение давления). Если вода в
расплаве вышла на линию насыщенности, то расплав
очень сложно вывести с нее (см. рис.12, 13: синяя
линия - линия насыщенности; а- "запрещенная
область"). Следовательно, если в
кристалле существуют более ранние флюидные
включения, то более поздние расплавные включения
будут флюидонасыщенными. |
