Выращивание диэлектрических лазерных кристаллов.

В монографии рассматриваются методы выращивания лазерных диэлектрических кристаллов. Рассмотрение и систематизация методов ведётся с позиций, предъявляемых современной техникой к активным материалам твёрдотельных лазеров. Поэтому данную работу можно рассматривать как введение в материаловедение твёрдотельной квантовой электроники. С целью лучшей иллюстрации материала в работе приводятся основные сведения об использующихся в лазерной технике матрицах - кристаллах простых и сложных оксидов и фторидов. Рассмотрены методы выращивания из расплава, растворов и из газовой фазы объёмных кристаллов и плёнок. Приведены технологические схемы и режимы получения всех перспективных лазерных материалов. Особое внимание уделено как широко используемым в промышленности (методы Вернейла, Чохральского, Багдасарова), так и новым (оптическая зонная плавка, выращивание с лазерным нагревом, выращивание гарнисажным методом, получение лазерных плёнок жидкофазной эпитаксией и с помощью газотранспортных реакций). При рассмотрении каждого метода обсуждаются его технические характеристики и указывается круг материалов, который может быть этим методом получен.

Книга предназначена для научных работников и инженеров, специализирующихся в области материаловедения электронной техники, физики и химии твёрдого тела, а также специалистов, занимающихся проблемой поиска новых высокотемпературных материалов. Она может быть полезна студентам старших курсов и аспирантам, специализирующимся в области материаловедения.

Рецензенты: доктора хим. наук Ш.М. Мавлонов, Д.Д. Икрами.

"Дониш", 1986