При росте кристаллов образование дефектов зависит от соотношения скорости роста кристаллов и скорости диффузии компонентов в расплаве.
        1) При скорости роста минерала меньшей максимальной скорости подтока молекул (их диффузионной способности, которая по формуле Стокса-Энштейна зависит от вязкости расплава и от размера диффундирующих частиц) все диффундирующие частицы будут легко успевать присоединиться к растущим граням. В этом случае в прилежащем слое возникает ламининарное течение и возникновение расплавных включений статистически маловероятно. 
        2) При скорости роста минерала большей максимальной скорости подтока молекул (например, у кристалла, растущего в быстро остывающем кислом вязком расплаве), в прилежащем слое возникают турбулентные течения. При этом, потоки вещества при общем дефиците компонентов растущего минерала к граням поступают неравномерно. Соответственно, появляется большая статистическая вероятность появления дефектов на грани кристалла. Степень дефектности кристалла определяется количеством дефектов применительно либо к площади поверхности, либо к объему кристалла (например 10⁴/см²). В общем случае, количество расплавных включений зависит от количества дефектов, однако далеко не каждый дефект способствует образованию включения.

    Кроме дефектов, связанных с неравномерным подтоком компонентов к растущим граням, возможно образование механических дефектов.

•     Механическое повреждение кристалла (трещины).
•     Механическое загрязнение поверхности кристалла (налипание газового пузырька или посторонней фазы).
•     Резорбция граней (частичное растворение вкрапленника в расплаве)