Рис. 8 Механизм образования серии расплавных включений

   Рассмотрим ростовой механизм захвата включения. Предположим, что возник достаточно большой дефект, который начинает разрастаться, то есть в какой-то момент времени в какой-то локальной зоне на границе кристалл-расплав не было вещества для роста этого кристалла. Вместе с этим по периферии дефекта продолжается рост минерала и дефект постепенно зарастает, захватив при этом порцию расплава.

Захват РВ на границах сростков.

В  процессе роста   двойников на границе индивидов часто образуются незаросшие зоны, которые при последующем зарастании образуют серию расплавных включений (см. Э. Реддера).
 

Рис.9 Резорбированные края зерна оливина (поперечный срез)

Захват РВ при неоднородном росте кристаллов.

    При росте некоторых кристаллов различные грани могут расти с разными скоростями. Например у авгита, имеющего структуру "песочных часов", в одном направлении растут только грани, а перпендикулярно ему ребра. Соответственно, при дальнейшем зарастании кристалла между этими ребрами, там должно образовываться большое количество расплавных включений.
 

В результате временного изменения условий роста  может происходить частичное растворение ранее образованных кристаллов, вызывающее образование глубоких каверн выщелачивания (резорбция). Последующее возобновление роста приведет к захвату   больших изолированных включений или зоны мелких включений, маркирующих кайму переуравновешивания. На рис.9 хорошо видны зарастающие полости резорбции в зерне оливина - потенциальные раплавные включения.
 
 
 
 
 
  Захват РВ при образовании кристалла из нескольких смежных
центров нуклеации.

Рис.10 Группа расплавных включений в ядре кристалла плагиоклаза

    При скелетном росте или в случае роста кристалла без затравки может образоваться "рыхлая середина", в которой (при дальнейшем росте кристалла) остается большое количество расплавных включений (рис.10).