Захват твердофазных включений.

    В какой-то момент времени в расплаве существуют две растущих фазы: активно растущая, и находящаяся в большом количестве и пассивно растущая, которая растет медленно или уже частично выкристаллизовалась. Размер частиц, которые будут захватываться, должен быть сравнительно мал. Подчиняясь закону Стокса, эти частицы  не фракционируют и спокойно плавают в расплаве. Вследствие этого, они легко сорбируется поверхностью активно растущей фазы.

Гетерогенный захват с участием твердофазного включения.
   

Рис.10а Гетерофазный захват расплавного включения

При образовании твердофазных включений также возникает дефект, который вскоре зарастает. При этом существует достаточно большая вероятность того, что вместе с сорбированной фазой будет захвачена порция расплава,состав которого, однако, вскоре изменится вследствие реагирования захваченной фазы с захваченным расплавом. Помимо расплава сорбированная ранее фаза будет, также, реагировать и с минералом-хозяином, изменяя в приконтактовой зоне его состав. Количество захваченных включений определяется кристаллографическими свойствами  минерала-хозяина и минерала-узника и их структурным сродством друг к другу. На фотографии изображено расплавное включение в моноклинном пироксене (1), которое образовалось во многом благодаря захваченному оливину (3); 2-стекло.

Гетерогенный захват РВ с участием флюидного включения.

     Во время дегазации магматической системы на поверхность выкристаллизовавшейся к этому моменту фазы сорбируются пузырьки флюида, тем самым опять же образуя дефект на грани кристалла. При дальнейшем росте кристалла и консервации флюидного пузырька может быть захвачена порция расплава.
 

Захват РВ при ликвационных процессах.

    Менее вероятным, по сравнению с вышеописанными механизмами захвата, является тот случай, когда в магматической системе существует два (или более) несмешивающихся расплава. Тогда если один из расплавов находится в системе в виде эмульсии, то его капельки будут налипать на кристаллы, образовавшиеся в другом расплаве, так как размеры фазовой границы будут соразмеримы с размерами граней кристаллов. Обрастая пузырек "чужого" расплава, кристалл может захватиь с собой порцию "родного расплава".