Все о геологии :: на главную страницу! Геовикипедия 
wiki.web.ru 
Поиск  
  Rambler's Top100 Service
 Главная страница  Конференции: Календарь / Материалы  Каталог ссылок    Словарь       Форумы        В помощь студенту     Последние поступления
   Геология >> Информационные технологии | Тезисы
 Обсудить в форуме  Добавить новое сообщение

Тезисы научной конференции
ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ,

апрель 2007 года
СЕКЦИЯ ГЕОЛОГИИ

содержание


Влияние температуры на микроморфологию граней синтетического цинкита

Т.К. Карипидис, В.В. Мальцев, Е.А. Волкова, Н.И. Леонюк

Цинкит ZnO - перспективный материал для акусто-, микро-, оптоэлектронных устройств, пьезоэлектрических преобразователей, УФ лазеров, световодов и детекторов газов. Он характеризуется уникальным сочетанием анизотропной кристаллической структуры, фоточувствительности, радиационной стойкости, люминесцентных и полупроводниковых свойств при большой ширине запрещенной зоны (~3.4 эВ) [1]. Монокристаллы цинкита используются также в качестве подложек для получения тонких пленок нитрида галлия, так как оба принадлежат к структурному типу вюрцита, а коэффициент несоразмерности их решеток  в плоскости с составляет 1.8 %  [2-4]. Поскольку эксперименты по гетероэпитаксии GaN проводятся при 600-1200°С в различных газовых средах и при этом предусматривается высокотемпературный отжиг подложек для предварительной обработки их поверхности, то важно знать поведение ZnO в подобных условиях [5]. Целью данного сообщения было исследование температурной зависимости микроморфологии моноэдра (0001) цинкита в атмосфере кислорода, аргона, азота и вакууме, а также анализ спектров катодолюминесценции ZnO до и после термической обработки.

В опытах по отжигу использовались пластины цинкита с "as-grown" поверхностью (0001) и размерами около 10х10х1 мм, изготовленные из полученных в гидротермальных условиях монокристаллов. Прокаливание проводилось в нейтральной (N2), окислительной (O2) и восстановительной (95% Ar - 5% H2) атмосферах в интервале температур от 670 до 1100°С, а в форвакууме - до 800°С в течение 4-8 часов. Спектры катодолюминесценции цинкита снимались после каждой термической обработки.

Установлено, что морфология кристаллов цинкита стабильна в нейтральной среде вплоть до 1100°С, а в кислородной атмосфере - до 1000°С. Повышение температуры до 1100°С в окислительных условиях ведет к обратимому изменению их окраски, которое свидетельствует о нарушении стехиометрии цинкита. При этом характерные для грани моноэдра микрохолмики роста под воздействием температуры в кислороде становятся более пологими и частично выравниваются. Вероятно, процесс сглаживания рельефа этой грани связан с перераспределением дефектов в результате отжига. В восстановительной среде при 760°С на поверхности монокристаллической пластинки наблюдаются следы травления, а при 1100°С происходит возгонка цинкита.

Результаты исследования спектров люминесценции показали, что отжиг в интервале 500-700°С приводит к возрастанию интенсивности краевой (ультрафиолетовой) полосы. Дальнейшее увеличение температуры в диапазоне 800-1100 °С влечет за собой рост зеленой (примесной) и деградацию краевой полос. При 1200°С интенсивности обеих полос уменьшаются. Кроме того, не отмечается влияния отжига на структуру спектра люминесценции.

Работа выполнена при частичной финансовой поддержке гранта CRDF N RUC2-2627-MO-04 и гранта Президента РФ для молодых кандидатов N MK-2794.2005.5.

Авторы выражают благодарность сотрудникам ВНИИСИМСа г. Александров П.П. Шванскому и Е.В. Кортуновой, предоставившим монокристаллы цинкита, и доценту физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова М.В. Чукичеву за данные по катодолюминесценции цинкита.

Литература

1. Кузьмина И.П., Никитенко В.А. Окись цинка. Получение и оптические свойства. М., Наука, 1984, 166 с.
2. Леонюк Н.И., Лютин В.И., Мальцев В.В. Выращивание монокристаллов и моделирование процессов минералообразования. Изд-во Московского университета, 2005, 104 с.
3. Кортунова Е.В., Лютин В.И. Гидротермальные монокристаллы цинкита. Получение и исследование физических свойств. "Синтез минералов", Александров, ВНИИСИМС. 2000. Т.1. С.403-427.
4. S.J.Pearton, D.P. Norton et al. Recent progress in processing and properties of ZnO // Progress in Materials Science. 2005. Vol.50. P.293 - 340.
5. Xing Gu, Shariar Sabuktagin et al. Materials in Electronics // Journal of Material Science. 2004. Vol.15. P.373.

 


Проект осуществляется при поддержке:
Геологического факультета МГУ,
РФФИ
   

TopList Rambler's Top100