МЕХАНИЗМЫ И МОДЕЛИ ЗАРЯДОВОЙ КОМПЕНСАЦИИ ПРИ ГЕТЕРОВАЛЕНТНЫХ ЗАМЕЩЕНИЯХ В КРИСТАЛЛАХ

Оглавление

ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ И МЕТОДЫ ИЗУЧЕНИЯ
ПРИМЕРЫ НЕКОТОРЫХ МЕХАНИЗМОВ И МОДЕЛЕЙ ЗАРЯДОВОЙ КОМПЕНСАЦИИ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

ВВЕДЕНИЕ

    Основная особенность кристаллов - наличие кристаллической решетки, представляющей собой строгую трехмерную периодичность атомов химических элементов, определяющих химический состав. В действительности правильность такой решетки всегда бывает нарушена разнообразными дефектами, возникающими из-за влияния внешних полей (гравитационного, теплового, электрического), особенностей среды и условий образования и роста кристаллов. В качестве дефектов служат различные посторонние атомы, вакансии, радиационные электронные и дырочные центры, дислокации. Наличие последних определяется понятием "реальная структура кристаллов". Мы рассмотрим лишь такие дефекты кристаллов, которые вызваны разнообразными примесными атомами и которые, в свою очередь, определяют появление других дефектов.

Следующая страница